本发明涉及一种用于半导体处理的反应室，包括气体分配装置1、反应室上盖2、反应腔室3、静电卡盘4和真空泵6，静电卡盘4用于支撑半导体晶片5，真空泵6用于使反应室获得低气压。气体分配装置有两路气体输入，可以分别控制压力和流量。第一路气体输入A远离真空泵入口，控制等离子反应室中远离真空泵一侧的气体分布，第二路气体输入B靠近真空泵入口，控制等离子反应室中靠近真空泵一侧的气体分布，通过调整气体分配装置1的参数可以使整个晶片上得到均匀的气体分布。在下抽气方式中，本发明可以补偿真空泵对等离子反应室中气体分布的影响，使反应气体在半导体晶片上得到均匀的分布，从而使半导体设备加工时具有均匀的刻蚀速率。