用于半导体处理模块的顶环
授权
摘要
本实用新型涉及一种用于半导体处理模块的顶环，所述顶环构造成沿着所述半导体处理模块的衬底支撑件的外围放置，其中所述顶环的顶侧具有在所述顶环的内边缘和外边缘之间延伸的面向等离子体的表面；所述顶环的下侧具有设置在所述顶环的所述内边缘和所述外边缘之间的通道；以及一组凹槽设置在所述下侧上在所述通道和所述外边缘之间。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体处理模块的顶环
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921131022.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-18
授权号 ：
CN210778476U
授权日 ：
2020-06-16
发明人 ：
乔安娜·吴韩慧玲克里斯托弗·金博尔吉姆·塔潘格里菲·奥尼尔约翰·德鲁厄里
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
李献忠
优先权 ：
CN201921131022.6
主分类号 ：
H01J37/02
IPC分类号 ：
H01J37/02 H01J37/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
法律状态
2020-06-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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