集成电路制造中用于俄歇电子能谱的样品的处理方法

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种在集成电路制造中用于分析样品的方法，集成电路例如是MOS晶体管、专用集成电路、存储器器件、微处理器、片上系统。该方法包括提供一块集成电路芯片，其具有表面区域，该表面区域具有至少一个感兴趣区域，如键合焊盘。该方法包括利用阻隔材料覆盖包括感兴趣区域在内的表面区域的第一部分。该方法还在表面区域的第二部分上形成金属层，同时阻隔材料保护了第一部分。该方法移去阻隔材料以暴露包括感兴趣区域在内的表面区域的第一部分。该方法还对金属层施加电压差以从表面区域的第一部分吸引走一个或多个带电粒子。该方法还对包括感兴趣区域在内的表面区域进行能谱分析。

基本信息

专利标题：

集成电路制造中用于俄歇电子能谱的样品的处理方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1991346A

申请号：

CN200510133003.3

公开（公告）日：

2007-07-04

申请日：

2005-12-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

张启华李明牛崇实廖炳隆

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

陈红

优先权：

CN200510133003.3

主分类号：

G01N23/227

IPC分类号：

G01N23/227 G01N1/28 H01L21/66

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01N

借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料

G01N23/00

利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子

G01N23/22

通过测量材料的二次发射

G01N23/227

测量光电效应，例如，光电子发射显微镜

法律状态

2019-12-13 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G01N 23/227
申请日 : 20051227
授权公告日 : 20091111
终止日期 : 20181227

2012-01-11 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101262313894
IPC(主分类) : G01N 23/227
专利号 : ZL2005101330033
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111202

2009-11-11 ：

授权

2007-08-29 ：

实质审查的生效

2007-07-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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