用于制造CMOS图像传感器的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
公开了一种用于制造CMOS图像传感器的方法，其中垫钝化膜被厚地形成，并在形成微透镜以前将其去除，从而防止微透镜缺陷的发生并获得白均匀性，由此改善图像传感器的质量和产出。所述方法包括：在具有有源区和垫区的半导体基片的垫区上形成金属垫；在包括所述金属垫的半导体基片的整个表面上形成绝缘膜；通过蚀刻与所述金属垫对应的所述绝缘膜的部分形成开口以暴露该金属垫；在包括所述开口的绝缘膜上形成垫钝化膜；在与所述有源区对应的垫钝化膜的部分上形成滤色器层；去除与所述垫区对应的垫钝化膜的部分；以及在去除与所述垫区对应的垫钝化膜的部分后在所述滤色器层上形成微透镜。
基本信息
专利标题 ：
用于制造CMOS图像传感器的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819151A
申请号 ：
CN200510135161.2
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金唇翰
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN200510135161.2
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2009-01-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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