对向靶材式溅镀装置
专利权的终止
摘要
本发明提供一种对向靶材式溅镀装置，不需使用大型靶材可在实质上实现大型靶材的功能，为可成膜于大面积的基板上，将长方体状框体71的6个侧面71a～71f中的1个71f作为开口的开口侧面；将具备有靶材和设置于其周围、形成垂直于靶材面方向的对向模式磁场，及平行于靶材面方向的磁控模式磁场的永久磁铁的磁场产生装置的一对靶材单元100a及100b，装设于与靶材单元相邻接的开口侧面的两侧对向的侧面；将以遮蔽板72c～72e(71c、72c于正前方未图示)遮蔽其它侧面71c～71e的箱型对向式溅镀部70，在开口侧面安装于真空容器10上；将开口侧面的开口部面对真空容器内，于各靶材单元100a、100b各配置有多个多片的靶材110a1、110a2；110b1、110b2。
基本信息
专利标题 ：
对向靶材式溅镀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1957107A
申请号 ：
CN200580016686.2
公开（公告）日 ：
2007-05-02
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
门仓贞夫安福久直
申请人 ：
F·T·S·股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN200580016686.2
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 H01L21/285
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2014-02-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101570138973
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2005800166862
申请日 : 20051213
授权公告日 : 20090916
终止日期 : 20121213
号牌文件序号 : 101570138973
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2005800166862
申请日 : 20051213
授权公告日 : 20090916
终止日期 : 20121213
2009-09-16 ：
授权
2007-06-27 ：
实质审查的生效
2007-05-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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