含环糊精化合物的形成光刻用下层膜的组合物
授权
摘要
本发明的课题在于提供，在制造半导体器件的光刻工艺中使用的，具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，用于形成在半导体基板上的孔填充性优异的下层膜的形成光刻用下层膜组合物。本发明的形成光刻用下层膜的组合物，含有环糊精的羟基总数的10％～90％变为醚基或酯基的环糊精化合物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂。
基本信息
专利标题 ：
含环糊精化合物的形成光刻用下层膜的组合物
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101048705A
申请号 ：
CN200580037032.8
公开（公告）日 ：
2007-10-03
申请日 ：
2005-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
竹井敏新城彻也桥本圭祐
申请人 ：
日产化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
段承恩
优先权 ：
CN200580037032.8
主分类号 ：
G03F7/11
IPC分类号 ：
G03F7/11 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
G03F7/09
以细部结构为特征的，例如，基片层、辅助层
G03F7/11
具有覆盖层或中间层的，例如，胶层
法律状态
2010-11-10 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2007-10-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101048705B.PDF
PDF下载
2、
CN101048705A.PDF
PDF下载
