用于改良瞬时相沉积的气体分配系统
专利权的终止
摘要

本发明的实施例关于一种气体分配系统,其可将气体均匀地分配至制程处理室。于一实施例中,气体分配系统包括一气体环,其包括一外表面及一内表面;以及一气体入口,设在该气体环的外表面处。该气体入口是可流通地与一第一通道耦接,该第一通道是设在气体环的外表面及内表面之间。数个气体出口分配在气体环内表面,且是可流通地与一设于气体环外表面及内表面之间的第二通道相耦接。数个孔洞是可流通地耦接于第一通道及第二通道之间。数个孔洞与气体入口相隔若干距离,且尺寸随着沿该第一通道测量的气体入口的距离而改变,以使孔洞尺寸随着沿该第一通道测量的孔洞及气体入口间的距离的增加而增加。

基本信息
专利标题 :
用于改良瞬时相沉积的气体分配系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101065513A
申请号 :
CN200580040815.1
公开(公告)日 :
2007-10-31
申请日 :
2005-11-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
苏达哈尔·贡德哈利卡罗伯特·邓肯塞玛可·萨力米恩穆罕姆德·M·拉希德哈瑞·S·怀特赛尔布鲁诺·杰弗里昂帕德曼那泊罕·克里希纳拉杰鲁道夫·古杰尔
申请人 :
应用材料股份有限公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
上海专利商标事务所有限公司
代理人 :
陆嘉
优先权 :
CN200580040815.1
主分类号 :
C23C16/00
IPC分类号 :
C23C16/00  H01L21/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
法律状态
2015-01-07 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101594972228
IPC(主分类) : C23C 16/00
专利号 : ZL2005800408151
申请日 : 20051122
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20131122
2011-12-28 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101249714112
IPC(主分类) : C23C 16/00
专利号 : ZL2005800408151
变更事项 : 专利权人
变更前 : 应用材料股份有限公司
变更后 : 应用材料公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
2010-05-12 :
授权
2007-12-26 :
实质审查的生效
2007-10-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101065513A.PDF
PDF下载
2、
CN101065513B.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332