带有射频加热的处理腔的化学气相沉积反应器
专利权的终止
摘要
本发明涉及在至少一个基片，特别是结晶基片上沉积结晶涂层的沉积设备。所述设备包括处理腔(5)，该处理腔包括许多壁元件(1、2、3、4)，所述壁元件(1、2、3、4)是导电的并且端对端放置，这样形成接触(2’、2”、3’、3”)；反应器壳体(6)，该壳体包围处理腔的壁元件并且由非导电材料制成；和RF加热线圈，该线圈围绕处理腔的壁元件(1、2、3、4)。本发明的特征在于，实体单件屏蔽加热管(8)植入到反应器壳体(6)和处理腔的壁(1、2、3、4)之间。所述管的材料是导电的，使得其被RF线圈产生的RF场感应在其内的涡流加热，并且使得该管显著地吸收RF场并且加热处理腔的壁(1、2、3、4)。
基本信息
专利标题 ：
带有射频加热的处理腔的化学气相沉积反应器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101072900A
申请号 ：
CN200580042263.8
公开（公告）日 ：
2007-11-14
申请日 ：
2005-12-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
约翰尼斯·卡普勒弗兰克·维施迈尔
申请人 ：
艾克斯特朗股份公司
申请人地址 ：
德国亚琛
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王冉
优先权 ：
CN200580042263.8
主分类号 ：
C30B25/10
IPC分类号 ：
C30B25/10 C23C16/46
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/10
反应室或衬底的加热
法律状态
2015-02-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101597013651
IPC(主分类) : C30B 25/10
专利号 : ZL2005800422638
申请日 : 20051212
授权公告日 : 20110126
终止日期 : 20131212
号牌文件序号 : 101597013651
IPC(主分类) : C30B 25/10
专利号 : ZL2005800422638
申请日 : 20051212
授权公告日 : 20110126
终止日期 : 20131212
2011-01-26 ：
授权
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-11-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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