用于在等离子体工艺中顺序交替以优化衬底的方法和装置
授权
摘要
公开了在等离子体处理系统中用于优化衬底蚀刻的方法。该方法包括选择包括第一工艺变量的第一等离子体工艺配方，其中，通过第一数量改变第一工艺变量使第一衬底蚀刻特性优化而使第二衬底蚀刻特性恶化。该方法还包括选择包括第二工艺变量的第二等离子体工艺配方，其中，通过第二数量改变第二等离子体工艺变量使第一衬底蚀刻特性恶化而使第二衬底蚀刻特性优化。本方法还包括：将衬底定位在等离子体处理室中的卡盘上；以及在等离子体处理室内撞击等离子体。该方法还包括在第一等离子体配方和第二等离子体配方之间进行交替，其中，一旦完成该交替，则第一衬底蚀刻特性和第二衬底蚀刻特性被充分优化。
基本信息
专利标题 ：
用于在等离子体工艺中顺序交替以优化衬底的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101287860A
申请号 ：
CN200580047715.1
公开（公告）日 ：
2008-10-15
申请日 ：
2005-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿德里安·基尔迈森塔玛拉克·潘杜姆索波尔恩阿尔弗德·科弗
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200580047715.1
主分类号 ：
C23F1/00
IPC分类号 ：
C23F1/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
法律状态
2011-10-05 ：
授权
2008-12-10 ：
实质审查的生效
2008-10-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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