晶片结合的MOS去耦电容器
授权
摘要
本发明公开了一种形成可用作去耦电容器的MOS电容器(100)的技术。MOS电容器与其将服务的特定电路装置(170)分别形成。因而，电容器和它的制造工艺可在效率等方面被最优化。该电容器可用导电接触件制造，所述导电接触件允许通过装置(170)的导电垫将电容器熔合到装置(170)。因而，电容器(100)与装置(170)可被封装在一起，并且因为电容器不是从与装置(170)相同的衬底形成的，从而可节省宝贵的半导体区。电容器进一步包括深接触件(150、152)，其上焊垫(180、182)可被形成以允许电容器和装置(170)电连接到外界。
基本信息
专利标题 ：
晶片结合的MOS去耦电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101116174A
申请号 ：
CN200580047930.1
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2005-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
R·P·劳斯
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵蓉民
优先权 ：
CN200580047930.1
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2011-06-29 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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