用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光浆料组合物及其制备方...
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摘要
本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。
基本信息
专利标题 ：
用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光浆料组合物及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101300320A
申请号 ：
CN200580051984.5
公开（公告）日 ：
2008-11-05
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑载薰李仁庆崔源永李泰永梁智喆
申请人 ：
第一毛织株式会社;三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国庆尚北道
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
周建秋
优先权 ：
CN200580051984.5
主分类号 ：
C09K3/14
IPC分类号 ：
C09K3/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K3/00
不包含在其他类目中的材料
C09K3/14
防滑材料；研磨材料
法律状态
2011-06-01 ：
授权
2008-12-31 ：
实质审查的生效
2008-11-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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