三维集成电路装置以及集成电路基板的对准方法
授权
摘要
一种三维集成电路装置以及集成电路基板的对准方法，该集成电路基板的对准方法，包括：提供一第一基板，上述第一基板具有一第一正面、一第一背面以及一第一对准标记，第一正面具有多个第一集成电路结构，第一对准标记形成于第一正面或第一背面。提供一第二基板，上述第二基板具有一第二正面、一第二背面以及一第二对准标记，第二正面具有多个第二集成电路结构，第二对准标记形成于第二正面或者第二背面。提供一第一光学感测器以及一第二光学感测器，分别感测第一、第二对准标记进而对准第一、第二基板，其中第一、第二对准标记是面朝相反方向，并分别正对于第一、第二光学感测器。本发明具有较佳的准确度，且可减少不必要的制程步骤。
基本信息
专利标题 ：
三维集成电路装置以及集成电路基板的对准方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1893012A
申请号 ：
CN200610001613.2
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2006-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈学忠罗吉进范淑贞
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610001613.2
主分类号 ：
H01L21/68
IPC分类号 ：
H01L21/68 H01L25/065 H01L25/18 H01L25/00 H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/68
用于定位、定向或对准的
法律状态
2008-04-02 ：
授权
2007-03-07 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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