高速率半导体光发射组件的封装结构及方法
专利权的终止
摘要

本发明主要涉及光纤通信领域,特别是一种高速率半导体光发射组件的封装结构及方法。结构包括;带有射频连接头的蝶形管壳、半导体致冷器、KOVAR金属热沉、介质热沉基片、光发射器件、热敏电阻、背光检测探测器、用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚,用金丝或金带连接介质热沉基片和介质基片上的共面波导传输线,以及光学耦合组件。方法包括:直流端口在管壳外部采用等间距排列的BTF标准封装形式;高频端口采用射频连接头;光学组件部分采用的是分离式调整;还具有热敏电阻和背光探测器便于监视半导体激光器的工作状态;带有半导体致冷器,用于对光发射芯片的工作温度进行控制。

基本信息
专利标题 :
高速率半导体光发射组件的封装结构及方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101017956A
申请号 :
CN200610003069.5
公开(公告)日 :
2007-08-15
申请日 :
2006-02-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴德馨杨成樾李宝霞
申请人 :
中国科学院微电子研究所
申请人地址 :
100029北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
段成云
优先权 :
CN200610003069.5
主分类号 :
H01S5/026
IPC分类号 :
H01S5/026  H01S5/022  H01S5/024  H01S5/00  H01L25/00  H01L23/00  H01L21/50  G02B6/00  H04B10/02  
法律状态
2020-02-11 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01S 5/026
申请日 : 20060208
授权公告日 : 20081022
终止日期 : 20190208
2013-05-08 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101589210946
IPC(主分类) : H01S 5/026
专利号 : ZL2006100030695
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院微电子研究所
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中国科学院微电子研究所
登记生效日 : 20130419
2008-10-22 :
授权
2007-10-10 :
实质审查的生效
2007-08-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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