一种用负性电子抗蚀剂制备纳米电极的方法
专利权的终止
摘要
一种采用负性电子抗蚀剂制备纳米电极的方法。本发明的主要特征是利用电子束光刻(EBL)在各种衬底上获得间距为纳米尺度的一对或一组负性电子抗蚀剂凸立图形，再用刻蚀工艺制备各种材料的纳米电极。其主要步骤包括：在绝缘衬底上生长导电性好的金属或半导体导电层；涂敷负性电子抗蚀剂；前烘；电子束直写曝光；显影；定影；刻蚀；去胶。采用这种方法制备的纳米电极的间距可达到20－100nm，可用于制作各种量子点器件、纳米线、纳米管器件、单电子器件等多种器件或电路。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、用途多、能与传统CMOS工艺兼容的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种用负性电子抗蚀剂制备纳米电极的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101017778A
申请号 ：
CN200610003531.1
公开（公告）日 ：
2007-08-15
申请日 ：
2006-02-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龙世兵刘明陈宝钦
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
100029北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
段成云
优先权 ：
CN200610003531.1
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283 G03F7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
2010-07-28 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004259468
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2006100035311
申请日 : 20060209
授权公告日 : 20081119
号牌文件序号 : 101004259468
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2006100035311
申请日 : 20060209
授权公告日 : 20081119
2008-11-19 ：
授权
2007-10-10 ：
实质审查的生效
2007-08-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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