具有双层抗蚀剂的电子束光刻
公开
摘要
本申请涉及具有双层抗蚀剂的电子束光刻。用于加工材料堆叠物(100)的方法、设备和系统。在材料堆叠物(100)上沉积氢硅倍半氧烷层(200)。扩散阻挡层(300)沉积在氢硅倍半氧烷层(200)上以形成双层物(302)。扩散阻挡层(300)包括具有一定厚度的材料，该材料增加在氢硅倍半氧烷层(200)老化而改变针对具有期望宽度的所选部件几何形状的曝光氢硅倍半氧烷层(200)所需的电子束(400)的剂量之前的时间量。电子束(400)被定向通过双层物(302)的表面(402)，以形成双层物(302)的曝光部分(404)。电子束(400)施加剂量，该剂量是基于用于材料堆叠物(100)的部件的图案密度选择的，以具有针对所选择部件几何形状的期望水平的氢硅倍半氧烷层(200)的曝光。显影了氢硅倍半氧烷层(200)。曝光部分(404)保留在材料堆叠物(100)上。
基本信息
专利标题 ：
具有双层抗蚀剂的电子束光刻
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114442432A
申请号 ：
CN202111298815.9
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·梅I·米洛萨维耶维奇A·辛普森
申请人 ：
波音公司
申请人地址 ：
美国伊利诺伊州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
姚远
优先权 ：
CN202111298815.9
主分类号 ：
G03F7/09
IPC分类号 ：
G03F7/09 G03F7/11 G03F7/32 G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
G03F7/09
以细部结构为特征的，例如，基片层、辅助层
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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