具有修改的频带结构的非挥发存储器单元的操作方法及装置
授权
摘要
一种具有一电荷储存结构的非挥发存储单元，非挥发存储单元以存储单元的基板区与存储单元的至少一电流负载节点间的测量电流(例如带间电流)进行读取。为了强化非挥发存储单元的操作，频带结构工程是用以改变存储器组件的主体部以及另一支持测量电流的存储器组件间的频带结构。
基本信息
专利标题 ：
具有修改的频带结构的非挥发存储器单元的操作方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1949521A
申请号 ：
CN200610008510.9
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2006-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶致锴蔡文哲
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
任永武
优先权 ：
CN200610008510.9
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 H01L21/8247 G11C16/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2009-08-12 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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