集成半导体电感器及其方法
授权
摘要
在一个实施例中，覆盖半导体衬底形成多层电感器。
基本信息
专利标题 ：
集成半导体电感器及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841736A
申请号 ：
CN200610008950.4
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
里安·J·赫尔利
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN200610008950.4
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L21/82
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2010-09-08 ：
授权
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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