集成半导体电感器及其方法

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摘要

公开了一种集成半导体电感器及其方法。在一个实施例中，覆盖半导体衬底形成多层电感器。该集成半导体电感器包括：半导体衬底；覆盖半导体衬底至少一部分的第一多层电感器，该第一多层电感器具有第一端子和第二端子，该第一多层电感器还具有覆盖半导体衬底该部分的第一导体、覆盖第一导体的至少一部分以在第一导体和第二导体之间形成磁耦合的第二导体、设置在第一导体和第二导体之间的第一电介质，其中第一导体连接到第一多层电感器的第一端子，第二导体连接到第一多层电感器的第二端子；以及延伸通过第一电介质的第一连接，用以形成第一导体和第二导体之间的电接触。该多层电感器在半导体管芯的给定区域内提供了更大的电感量，从而降低了成本。

基本信息

专利标题：

集成半导体电感器及其方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101977027A

申请号：

CN201010294092.0

公开（公告）日：

2011-02-16

申请日：

2006-01-12

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

里安·J·赫尔利

申请人：

半导体元件工业有限责任公司

申请人地址：

美国亚利桑那

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

屠长存

优先权：

CN201010294092.0

主分类号：

H03H7/01

IPC分类号：

H03H7/01 H01L27/00