提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明一种提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半绝缘砷化镓(100)衬底上，使用分子束外延的方法外延生长200nm的砷化镓缓冲层；(B)在砷化镓缓冲层上生长7个周期的砷化铝/砷化镓分布布拉格反射镜；(C)对砷化铝/砷化镓分布布拉格反射镜进行刻蚀至衬底，形成条形结构；(D)将刻蚀好的材料放入氧化炉中，进行湿法氧化，以把砷化铝氧化成氧化铝；(E)在氧化炉中退火，同时关闭水蒸气，向炉中通氮气进行气体保护，以提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜的界面质量。
基本信息
专利标题 ：
提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101005194A
申请号 ：
CN200610011224.8
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李若园徐波王占国
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200610011224.8
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/187
法律状态
2009-01-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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