层积层结构体及形成该结构体的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明涉及一种层积层结构体，该层积层结构体包括基材和至少含有两种复合物A和B的材料的多个层的层叠体，其中复合物A具有足以使复合物A在所述基材上均质外延生长或异质外延生长的晶体结构，并且其中层叠体的至少部分层具有梯度组成AxgB(1－xg)，其中x是范围为0≤x≤1的组成参数，并且组成参数(1－xg)在相应层的厚度上逐渐增大，特别是线性增大。为了改善关于表面粗糙度和位错密度的所述层积层结构体的品质，选择层叠体中具有梯度组成的层与层叠体中的后继层之间的界面处的组成参数使其比具有梯度组成的层的组成参数(1－xg)小。本发明还涉及制造该层积层结构体的方法。
基本信息
专利标题 ：
层积层结构体及形成该结构体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838429A
申请号 ：
CN200610065288.6
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
克里斯托夫·菲盖
申请人 ：
硅绝缘体技术有限公司
申请人地址 ：
法国伯涅尼
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁香兰
优先权 ：
CN200610065288.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/20
法律状态
2009-08-26 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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