顶部底部双散热片封装结构
专利权的终止
摘要
本实用新型提供一种新型的顶部底部双散热片封装结构，该结构是在一导线架上，点上焊料，半导体芯片贴于该焊料上并固定之，再在半导体芯片上方表面点上焊料，将一特制的具有散热功能的金属桥架，置于半导体芯片上面并用塑料封装，形成半导体芯片居中间，其顶部和底部都是散热片的封装结构。本实用新型的优点是，增加了从封装顶部散热的途径，提供高功率半导体器件更好的散热特性。
基本信息
专利标题 ：
顶部底部双散热片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620044459.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-08-01
授权号 ：
CN2932621Y
授权日 ：
2007-08-08
发明人 ：
谭小春李云芳
申请人 ：
上海凯虹电子有限公司
申请人地址 ：
201612上海市松江区陈春公路999号
代理机构 ：
上海东亚专利商标代理有限公司
代理人 ：
罗习群
优先权 ：
CN200620044459.2
主分类号 ：
H01L23/34
IPC分类号 ：
H01L23/34 H01L23/488
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
法律状态
2016-09-28 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101680710349
IPC(主分类) : H01L 23/34
专利号 : ZL2006200444592
申请日 : 20060801
授权公告日 : 20070808
终止日期 : 无
号牌文件序号 : 101680710349
IPC(主分类) : H01L 23/34
专利号 : ZL2006200444592
申请日 : 20060801
授权公告日 : 20070808
终止日期 : 无
2007-08-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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