成膜装置的掩模对位机构以及成膜装置
专利权的终止
摘要
一种成膜装置的掩模对位机构和成膜装置。成膜装置的掩模对位机构是在成膜装置内配设掩模夹具(22)，在上述掩模夹具(22)承载上述掩模(26)时的成膜装置的掩模(26)对位机构，上述掩模夹具(22)是具有对应于上述掩模(26)的缘部且自上述掩模(26)的侧方被延设的延设部(22a)、以及在上述延设部(22a)被设置的嵌合销(22b)，上述掩模(26)是为具备在其上述缘部与上述掩模夹具(22)的上述嵌合销(22b)嵌合的嵌合孔(26c)的构成。
基本信息
专利标题 ：
成膜装置的掩模对位机构以及成膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101090997A
申请号 ：
CN200680001596.0
公开（公告）日 ：
2007-12-19
申请日 ：
2006-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
片冈达哉长尾兼次齐藤谦一
申请人 ：
三井造船株式会社;株式会社日本微拓科技;长州产业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200680001596.0
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 C23C14/04 C23C14/12 C23C14/24 C23C14/56 H01L51/50 H05B33/10
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2016-04-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101654738417
IPC(主分类) : C23C 14/50
专利号 : ZL2006800015960
申请日 : 20060222
授权公告日 : 20101124
终止日期 : 20150222
号牌文件序号 : 101654738417
IPC(主分类) : C23C 14/50
专利号 : ZL2006800015960
申请日 : 20060222
授权公告日 : 20101124
终止日期 : 20150222
2010-11-24 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2008-02-06 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 三井造船株式会社
变更后权利人 : 三井造船株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20071221
变更事项 : 共同申请人
变更前权利人 : 株式会社日本微拓科技;长州产业株式会社
变更后权利人 : 长州产业株式会社
变更前权利人 : 三井造船株式会社
变更后权利人 : 三井造船株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20071221
变更事项 : 共同申请人
变更前权利人 : 株式会社日本微拓科技;长州产业株式会社
变更后权利人 : 长州产业株式会社
2007-12-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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