利用连续在线真空沉积工序平坦化导通孔的接触区域的系统及方...
专利权的终止
摘要
本发明公开一种多层式电子器件，包括：绝缘基板(212)；气相沉积的第一导体层(312)，其位于所述绝缘基板(212)上；气相沉积的第一绝缘层(314)，其位于所述第一导体层(312)上，所述第一绝缘层(314)中具有至少一个过孔(316)；以及气相沉积的导电填充剂(320)，其位于所述第一绝缘层(314)的过孔(316)中。优选的是，所述导电填充剂(320)沉积在所述第一绝缘层(314)的过孔(316)中，使得所述导电填充剂(320)的与所述第一导体层(312)相对的表面相对于所述第一绝缘层(314)的与所述第一导体层(312)相对的表面基本上共面。
基本信息
专利标题 ：
利用连续在线真空沉积工序平坦化导通孔的接触区域的系统及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101180714A
申请号 ：
CN200680003398.8
公开（公告）日 ：
2008-05-14
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
托马斯·P·布罗迪约瑟夫·A·马尔卡尼奥
申请人 ：
阿德文泰克全球有限公司
申请人地址 ：
英属维尔京群岛托托拉岛
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾红霞
优先权 ：
CN200680003398.8
主分类号 ：
H01L21/4763
IPC分类号 ：
H01L21/4763
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46
用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/461
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理
法律状态
2022-01-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/4763
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20130213
终止日期 : 20210126
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20130213
终止日期 : 20210126
2013-02-13 ：
授权
2011-03-02 ：
发明专利更正
发明专利公报更正号牌文件类型代码 : 1608
号牌文件序号 : 101070706288
卷 : 26
号 : 32
页码 : 无
申请号 : 2006800033988
IPC(主分类) : H01L0021476300
修正类型代码 : 无
更正项目 : 专利申请公布后的驳回
误 : 驳回
正 : 撤销驳回
号牌文件序号 : 101070706288
卷 : 26
号 : 32
页码 : 无
申请号 : 2006800033988
IPC(主分类) : H01L0021476300
修正类型代码 : 无
更正项目 : 专利申请公布后的驳回
误 : 驳回
正 : 撤销驳回
2010-08-11 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003964159
IPC(主分类) : H01L 21/4763
专利申请号 : 2006800033988
公开日 : 20080514
号牌文件序号 : 101003964159
IPC(主分类) : H01L 21/4763
专利申请号 : 2006800033988
公开日 : 20080514
2008-07-02 ：
实质审查的生效
2008-05-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101180714B.PDF
PDF下载
2、
CN101180714A.PDF
PDF下载
