连续一列式阴影掩膜沉积过程中用多次沉积事件形成导通孔的系...
授权
摘要
在连续一列式阴影掩膜生产系统中通过沉积第一导电层随后在第一导电层的一部分之上沉积第一绝缘层来形成导通孔。第一绝缘层是以沿其边缘定义至少一个凹口的方式沉积的。然后第二绝缘层以该第二绝缘层与第一绝缘层的每个凹口稍微重叠来形成一个或者多个导通孔的方式被沉积在第一导电层的另一部分上，从而形成一个或多个导通孔。导电填充物可以有选择性地沉积在每个导通孔中。最后，第二导电层可以被沉积在第一绝缘层、第二绝缘层、以及导电填充物(如果提供)上。
基本信息
专利标题 ：
连续一列式阴影掩膜沉积过程中用多次沉积事件形成导通孔的系统和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101088151A
申请号 ：
CN200580044297.0
公开（公告）日 ：
2007-12-12
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
托马斯·P·布罗迪约瑟夫·A·马尔卡尼奥杰弗里·W·康拉德蒂莫西·A·考恩
申请人 ：
阿德文泰克全球有限公司
申请人地址 ：
英属维尔京群岛托托拉岛
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈源
优先权 ：
CN200580044297.0
主分类号 ：
H01L21/4763
IPC分类号 ：
H01L21/4763 C23C16/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46
用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/461
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理
法律状态
2010-05-12 ：
授权
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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