薄膜的叠层结构、其形成方法、成膜装置和存储介质
专利权的终止
摘要
本发明提供一种与基底的密着性高、能够抑制膜剥离的发生、而且即使微细化进一步发展也能够充分地提高阶梯覆盖、而且能够使合金种的元素充分地扩散的薄膜的叠层结构的形成方法。在该方法中，在能够抽真空的处理容器(4)内在被处理体的表面上堆积多层薄膜而形成薄膜的叠层结构，将以下工序分别交替进行1次以上：使用含有作为合金种的第一金属的原料气体和还原气体，形成由第一金属构成的合金种膜(104)的合金种膜形成工序；和使用含有与上述第一金属不同的作为母材的第二金属的原料气体和还原气体，形成比上述合金种膜厚的由第二金属构成的母材膜(106)的母材膜形成工序。
基本信息
专利标题 ：
薄膜的叠层结构、其形成方法、成膜装置和存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101115864A
申请号 ：
CN200680004339.2
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2006-01-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉井直树小岛康彦佐藤浩
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200680004339.2
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2016-03-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101651895365
IPC(主分类) : C23C 16/44
专利号 : ZL2006800043392
申请日 : 20060130
授权公告日 : 20101013
终止日期 : 20150130
号牌文件序号 : 101651895365
IPC(主分类) : C23C 16/44
专利号 : ZL2006800043392
申请日 : 20060130
授权公告日 : 20101013
终止日期 : 20150130
2010-10-13 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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