采用等离子体CVD法的蒸镀膜
专利权的终止
摘要
本发明的蒸镀膜通过使用有机金属化合物和氧化性气体作为反应气体的等离子体CVD法而形成在基体表面，以来源于上述有机金属化合物的金属元素(M)、氧(O)和碳(C)3种元素为基准，上述蒸镀膜划分为碳浓度为5元素％以上的基体侧粘结层、碳浓度不到5元素％的阻挡性中间层、和碳浓度为5元素％以上的表面保护层。该蒸镀膜不仅对基体的附着性良好，而且对水分、特别是碱水溶液的耐受性也优异。
基本信息
专利标题 ：
采用等离子体CVD法的蒸镀膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101163817A
申请号 ：
CN200680013444.2
公开（公告）日 ：
2008-04-16
申请日 ：
2006-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
稻垣肇家木敏秀鬼头谕中野龙太M·中山
申请人 ：
东洋制罐株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
孙秀武
优先权 ：
CN200680013444.2
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 B65D1/00 B65D23/02 C23C16/40 C23C16/50
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-01-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 16/44
申请日 : 20060207
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20210207
申请日 : 20060207
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20210207
2010-06-16 ：
授权
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2008-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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