晶片级直立式的二极管封装结构
专利权的终止
摘要
一种晶片级直立式的二极管封装结构，该封装结构包括：一第一型半导体材料层、一第二型半导体材料层、一绝缘单元、一第一导电结构及一第二导电结构。第二型半导体材料层连接于第一型半导体材料层的一表面。绝缘单元环绕包覆第一型半导体材料层的周围及第二型半导体材料层的周围。第一导电结构成形于第一型半导体材料层的表面上及绝缘单元的一侧边上。第二导电结构成形于第二型半导体材料层的表面上及绝缘单元的另外一相反侧边上。通过绝缘单元、第一导电结构及第二导电结构，以将第一型半导体材料层及第二型半导体材料层全部包覆。本实用新型大大降低了材料成本及加工成本。
基本信息
专利标题 ：
晶片级直立式的二极管封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820137176.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-10-13
授权号 ：
CN201302998Y
授权日 ：
2009-09-02
发明人 ：
汪秉龙萧松益陈政吉
申请人 ：
宏齐科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈 晨
优先权 ：
CN200820137176.1
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L23/48 H01L23/31
法律状态
2013-12-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101547764856
IPC(主分类) : H01L 29/861
专利号 : ZL2008201371761
申请日 : 20081013
授权公告日 : 20090902
终止日期 : 20121013
号牌文件序号 : 101547764856
IPC(主分类) : H01L 29/861
专利号 : ZL2008201371761
申请日 : 20081013
授权公告日 : 20090902
终止日期 : 20121013
2009-09-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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