磁路机构及具有该磁路机构的磁控溅射阴极

避免重复授权放弃专利权

摘要

本实用新型公布了一种在传统的外圈永磁体内增加了两组独立旋转驱动的偏置内圈永磁体及中圈永磁体的磁路机构，上述独立旋转的偏置磁体被加入到由外圈永磁体所产生的静磁场中以调节靶材表面空间的磁场分布，可控的空间磁场分布在靶材表面上方的不同区域形成不同的等离子体浓度，一方面可以选择性地溅射靶的不同区域，获得径向方向上单调变化的膜厚，另一方面，薄膜的厚度的均匀性也得以改善，同时，靶的利用率也得以提高，结构简单操作方便。另本实用新型还公布了具有该磁路机构的磁控溅射阴极。

基本信息

专利标题：

磁路机构及具有该磁路机构的磁控溅射阴极

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820201115.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-09-26

授权号：

CN201336198Y

授权日：

2009-10-28

发明人：

范继良刘涛

申请人：

东莞宏威数码机械有限公司

申请人地址：

523081广东省东莞市南城区石鼓村大龙路6号

代理机构：

广州三环专利代理有限公司

代理人：

张艳美

优先权：

CN200820201115.7

主分类号：

H01F7/02

IPC分类号：

H01F7/02 C23C14/35 H02K7/116