缓冲电路、半导体集成电路装置、振荡器、电子设备及基站

授权

摘要

本发明提供缓冲电路、半导体集成电路装置、振荡器、电子设备及基站。缓冲电路包含：第1MOSFET，其包含第1源极、第1栅极和第1漏极；以及第2MOSFET，其包含第2源极、第2栅极和第2漏极，该第2MOSFET与第1MOSFET极性相同，第1栅极与第2栅极被电连接。

基本信息

专利标题：

缓冲电路、半导体集成电路装置、振荡器、电子设备及基站

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107017840A

申请号：

CN201610926238.6

公开（公告）日：

2017-08-04

申请日：

2016-10-24

授权号：

CN107017840B

授权日：

2022-04-01

发明人：

林谦司

申请人：

精工爱普生株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

李辉

优先权：

CN201610926238.6

主分类号：

H03B5/04

IPC分类号：

H03B5/04 H03B5/36 H03L1/02

法律状态

2022-04-01 ：

授权

2018-10-23 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H03B 5/04
申请日 : 20161024

2017-08-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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