用于等离子体处理腔室中晶片载体的先进温度控制

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摘要

描述了用于等离子体处理腔室中晶片载体的先进温度控制系统和方法。在一个示例中，热交换器向工件载体的流体通道提供温度受控的热流体以及接收来自流体通道的热流体。比例阀在热交换器和流体通道之间，以控制从热交换器到流体通道的热流体的流速。气动阀也在热交换器和流体通道之间，也控制来自热交换器与流体通道的热流体的流速。温度控制器接收来自载体的热传感器的测得的温度并响应于测得的温度控制比例阀和气动阀，以调整热流体的流速。

基本信息

专利标题：

用于等离子体处理腔室中晶片载体的先进温度控制

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109075110A

申请号：

CN201780027652.6

公开（公告）日：

2018-12-21

申请日：

2017-03-16

授权号：

CN109075110B

授权日：

2022-04-29

发明人：

F·M·斯李维亚张春雷P·克里米诺儿赵在龙

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

汪骏飞

优先权：

CN201780027652.6

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67 H01L21/02 H01L21/3065

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2022-04-29 ：

授权

2019-01-15 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20170316

2018-12-21 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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