一种半导体开关器件及其制作方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体开关器件及其制作方法，包括：P型基底、N型阱区、P型阱区、N型漂移区、栅极结构及侧墙、N型源区、P型导电区、介质层及源区电极。所述P型导电区形成于所述N型源区的下部，所述介质层中形成有源区接触窗口，所述源区接触窗口显露的所述N型源区的中部区域反型形成P型接触区，所述P型接触区的两侧均保留有部分所述N型源区。本发明相比于传统工艺能节省一次掩膜的制作，可有效降低工艺成本。本发明可以有效降低器件的导通电阻，提高器件的驱动电流。本发明可以有效避免由于latchup路径电压过高而导致半导体开关器件的lachtup效应（闩锁效应）的产生。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体开关器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110729242A
申请号 ：
CN201810783964.6
公开（公告）日 ：
2020-01-24
申请日 ：
2018-07-17
授权号 ：
CN110729242B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
王凡
申请人 ：
上海宝芯源功率半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区浦东盛夏路560号219室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN201810783964.6
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2020-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20180717
申请日 : 20180717
2020-01-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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