用于处理半导体裸片及制作经重构晶片的方法

授权

摘要

本申请案涉及用于处理半导体裸片及制作经重构晶片的方法。用于处理半导体裸片的方法包括：从半导体晶片的表面移除材料以形成在所述半导体晶片的横向外围处由侧壁环绕的凹穴；在所述凹穴的底部上形成膜；及在互相间隔开的位置中将半导体裸片固定到所述膜。将电介质模制材料放置在所述凹穴中在所述半导体裸片上方及之间，从所述半导体晶片的另一表面移除材料以暴露所述膜，暴露所述半导体裸片的接合垫，形成与相关联半导体裸片的所述接合垫电连通的重布层，及沿着所述半导体裸片之间的空间将所述重布层及相关联半导体裸片单个化。

基本信息

专利标题：

用于处理半导体裸片及制作经重构晶片的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110021558A

申请号：

CN201811471279.6

公开（公告）日：

2019-07-16

申请日：

2018-12-04

授权号：

CN110021558B

授权日：

2022-04-05

发明人：

A·M·贝利斯J·M·戴德里安李晓

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

王龙

优先权：

CN201811471279.6

主分类号：

H01L21/78

IPC分类号：

H01L21/78 H01L21/56

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

法律状态

2022-04-05 ：

授权

2019-09-24 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/78
申请日 : 20181204

2019-07-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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