增进晶片曝光品质的方法

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摘要

本发明公开一种增进晶片曝光品质的方法，其包含提供一晶片，测量该晶片的一表面垂直高度数值，接着输入该表面垂直高度数值至一计算系统中，得到该晶片的一位置‑曝光焦距偏移量的偏移图，然后根据该位置‑曝光焦距偏移量的偏移图，对该晶片进行一第一次校正步骤，以及在该第一次校正步骤之后，对该晶片进行一第二次校正步骤，其中该第二次校正步骤包含调整一曝光机台的一光照强度，使该曝光机台能够以不同大小的光能量强度照射该晶片不同位置。

基本信息

专利标题：

增进晶片曝光品质的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111338185A

申请号：

CN201811553308.3

公开（公告）日：

2020-06-26

申请日：

2018-12-19

授权号：

CN111338185B

授权日：

2022-05-20

发明人：

何熊武徐伟国白源吉谈文毅

申请人：

联芯集成电路制造(厦门)有限公司

申请人地址：

福建省厦门市翔安区万家春路八九九号

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陈小雯

优先权：

CN201811553308.3

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20