半导体设备和电子装置
授权
摘要
本技术涉及一种半导体设备和一种电子装置，由此可以抑制信号中噪声的产生。该半导体设备具有：第一半导体基板，其中，形成第一导体回路的至少一部分；以及第二半导体基板，其包括第一导体层和第二导体层，每个导体层具有导体，所述第一导体层和第二导体层形成第二导体回路。第一导体层和第二导体层被配置为使得从第二导体回路产生磁通量的回路平面的方向和第一导体回路产生电动势的回路平面的方向彼此不同。本技术可以应用于例如CMOS图像传感器。
基本信息
专利标题 ：
半导体设备和电子装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110915197A
申请号 ：
CN201880047019.8
公开（公告）日 ：
2020-03-24
申请日 ：
2018-07-13
授权号 ：
CN110915197B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
宫本宗秋山义行角田纯一児岛秀一
申请人 ：
索尼半导体解决方案公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吴孟秋
优先权 ：
CN201880047019.8
主分类号 ：
H04N5/357
IPC分类号 ：
H04N5/357 H01L21/3205 H01L21/768 H01L21/822 H01L23/522 H01L27/04 H01L27/146 H04N5/369
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-07-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04N 5/357
申请日 : 20180713
申请日 : 20180713
2020-03-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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