一种具有低EMI噪声的槽栅双极型晶体管
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摘要
本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种具有低EMI噪声的槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案：基于常规载流子储存槽栅双极型晶体管(CSTBT)结构，将空穴势垒层结构引入器件，并放置于漂移区结构与发射极结构之间。空穴势垒层结构各个区域均为浅结结构，可以通过外延技术形成，也可以通过离子注入或者扩散的技术形成，其长宽尺寸以及掺杂浓度可根据实际器件性能要求设计。在器件开启时，器件通过横向P/N结的耗尽，在栅极底部附近形成横向空穴势垒层，从而空穴电流对栅电容的充电作用被极大削弱，极大增加了器件的栅极控制能力同时降低了器件的电磁干扰噪声。因此，本发明具有极低电磁干扰(EMI)噪声的同时还有较低的功耗。
基本信息
专利标题 ：
一种具有低EMI噪声的槽栅双极型晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109904224A
申请号 ：
CN201910233378.9
公开（公告）日 ：
2019-06-18
申请日 ：
2019-03-26
授权号 ：
CN109904224B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
陈万军许晓锐王方洲刘超张波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN201910233378.9
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06 H01L23/552
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2019-07-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20190326
申请日 : 20190326
2019-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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