处理SrTiO3衬底的方法以及制备...
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摘要
本发明涉及一种处理SrTiO3衬底的方法以及一种制备FeSe超导体的方法。该处理SrTiO3衬底的方法包括：将一SrTiO3衬底置于一真空室中，该真空室的压强低于10‑9mbar，该SrTiO3衬底表面为非原子级平整；以及将该SrTiO3衬底加热至900℃以上，对该SrTiO3衬底退火30分钟以上。该制备FeSe超导体的方法包括：将一SrTiO3衬底置于一真空室中，该真空室的压强低于10‑9mbar，该SrTiO3衬底表面为非原子级平整；将该SrTiO3衬底加热至900℃以上，对该SrTiO3衬底退火30分钟以上；将该真空室温度降到650℃～800℃，然后向该真空室通入含氧气氛，使真空室压强保持在1×10‑6mbar～1×10‑4mbar，对该退火后的SrTiO3衬底进行补氧处理10分钟～30分钟；以及在该补氧处理后的SrTiO<
基本信息
专利标题 ：
处理SrTiO3衬底的方法以及制备FeSe超导体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110246957A
申请号 ：
CN201910518116.7
公开（公告）日 ：
2019-09-17
申请日 ：
2019-06-14
授权号 ：
CN110246957B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
王立莉丁翠刘充薛其坤
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区北京100084-82信箱
代理机构 ：
深圳市鼎言知识产权代理有限公司
代理人 ：
张利杰
优先权 ：
CN201910518116.7
主分类号 ：
H01L39/24
IPC分类号 ：
H01L39/24 H01B13/00
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-10-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 39/24
申请日 : 20190614
申请日 : 20190614
2019-09-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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