曝光机聚焦点的检测方法
授权
摘要
本申请公开了一种曝光机聚焦点的检测方法，包括：提供一衬底；在衬底上涂布光刻胶；通过包含辅助图形和掩模图形的掩模板，使用曝光机对光刻胶进行曝光后，对光刻胶进行显影，形成目标图形；对目标图形进行测量，确定曝光机的聚焦点位置。本申请通过在半导体器件的制造过程中，在形成半导体器件的目标图形的光刻步骤中，通过包含辅助图形的掩模板进行光刻，通过对目标图形进行测量，确定光刻步骤中曝光机的聚焦点位置，由于不需要通过复杂的FEM分析的方式对聚焦点位置进行确定，耗时较短，且实现了对曝光机聚焦点的实时监控。
基本信息
专利标题 ：
曝光机聚焦点的检测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110647015A
申请号 ：
CN201910908695.6
公开（公告）日 ：
2020-01-03
申请日 ：
2019-09-25
授权号 ：
CN110647015B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
杨要华
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN201910908695.6
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-02-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20190925
申请日 : 20190925
2020-01-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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