一种ITO缺陷检测方法及系统
授权
摘要
本发明公开了一种ITO缺陷检测方法，步骤如下：S1：对ITO电路通电，使之发热；S2：对发热的ITO电路进行热成像，得到热成像图片；S3：对所述热成像图片进行处理，得到ITO电路图片；S4：依据所述ITO电路图片，检测所述ITO电路的缺陷。该ITO缺陷检测方法基于热成像对ITO缺陷进行检测，具有较高的检测精度。本发明还公开了一种ITO缺陷检测系统。
基本信息
专利标题 ：
一种ITO缺陷检测方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110988660A
申请号 ：
CN201911000741.9
公开（公告）日 ：
2020-04-10
申请日 ：
2019-10-21
授权号 ：
CN110988660B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
雷华森郑海明李锋
申请人 ：
信利光电股份有限公司
申请人地址 ：
广东省汕尾市区工业大道信利工业城一区第15栋
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
李健威
优先权 ：
CN201911000741.9
主分类号 ：
G01R31/309
IPC分类号 ：
G01R31/309 G01N21/956
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/00
电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置；在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L21/66；线路传输系统的测试入H04B3/46）
G01R31/08
探测电缆、传输线或网络中的故障
G01R31/14
所用的电路
G01R31/308
使用非电离电磁辐射，如光辐射
G01R31/309
印刷或混合电路的
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-05-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/309
申请日 : 20191021
申请日 : 20191021
2020-04-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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