一种柔性InP HBT器件及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种柔性InP HBT器件及其制备方法，器件包括柔性衬底以及形成于所述柔性衬底上键合有键合层，所述键合层上结合有停止层，所述停止层上设置有InP HBT器件。制备方法为首先在InP衬底上正向生长带有停止层的InP HBT外延结构，然后在该InP HBT外延片上完成器件及电路制备，再在临时载片正面旋涂可逆临时键合材料，将完成电路工艺的InP HBT外延片与临时载片正面相对进行临时键合，对InP衬底背面进行选择性去除直至停止层，在InP HBT外延层背面制作键合材料，将InP HBT外延层背面与柔性衬底进行键合，最后将InP HBT外延层与临时载片分离，得到柔性InP HBT器件。
基本信息
专利标题 ：
一种柔性InP HBT器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110970340A
申请号 ：
CN201911053381.9
公开（公告）日 ：
2020-04-07
申请日 ：
2019-10-31
授权号 ：
CN110970340B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
吴立枢戴家赟程伟王元孔月婵
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请人地址 ：
江苏省南京市秦淮区中山东路524号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
孙昱
优先权 ：
CN201911053381.9
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L23/14 H01L29/737 H01L21/331
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-05-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20191031
申请日 : 20191031
2020-04-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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