用于近空间升华沉积设备的坩埚系统
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摘要
本发明提供一种用于近空间升华沉积设备的坩埚系统，包括：第一腔体；第二腔体，第一腔体倒扣在第二腔体的外周；第一腔体的侧壁与第二腔体的侧壁之间形成第一气体通道，且第一气体通道与第二腔体连通；具有通孔的第一腔体盖，设置于第一气体通道上；第一腔体及第二腔体设置于待沉积的基板的上方。通过将第一腔体倒扣在第二腔体的外周，实现气体由上向下运动的膜层制备，实现基板全覆盖均匀成膜；另外，由于沉积膜层向上，可以实现各种基板形状的膜层制备，进一步拓宽近空间升华工艺的应用范围；最后，第一腔体及第二腔体设置于基板的上方，当设备需要填料时，直接打开所述第一腔体，即可实现快速填料，提升设备的工作效率。
基本信息
专利标题 ：
用于近空间升华沉积设备的坩埚系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111020492A
申请号 ：
CN201911400619.0
公开（公告）日 ：
2020-04-17
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN111020492B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
彭寿殷新建陈瑛周显华
申请人 ：
中国建材国际工程集团有限公司
申请人地址 ：
上海市普陀区中山北路2000号中期大厦27层
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
贺妮妮
优先权 ：
CN201911400619.0
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/50 C23C14/54
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-05-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/24
申请日 : 20191230
申请日 : 20191230
2020-04-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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