三维双面硅微条探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种三维双面硅微条探测器，包括上部探测单元、下部探测单元和中间半导体基体，上部探测单元的上沟槽电极内均匀嵌有相互平行的上半导体基体，上半导体基体内嵌有上中央电极；下部探测单元的下沟槽电极内均匀嵌有相互平行的下半导体基体，下半导体基体内嵌有下中央电极；上半导体基体、上沟槽电极、上中央电极、下半导体基体、下沟槽电极和下中央电极高度相等；下部探测单元位于上部探测单元正下方，且两者在水平方向错开一定角度。上半导体基体、下半导体基体和中间半导体基体的掺杂浓度为1×1012cm‑3；上沟槽电极、上中央电极、下沟槽电极和下中央电极的掺杂浓度均为1×1018～5×1019cm‑3。
基本信息
专利标题 ：
三维双面硅微条探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920424893.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-01
授权号 ：
CN209675280U
授权日 ：
2019-11-22
发明人 ：
李正张亚
申请人 ：
湘潭大学
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区湘潭大学
代理机构 ：
长沙新裕知识产权代理有限公司
代理人 ：
周跃仁
优先权 ：
CN201920424893.0
主分类号 ：
H01L25/04
IPC分类号 ：
H01L25/04 H01L31/0224 H01L31/08 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
法律状态
2019-11-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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