酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具
授权
摘要
本实用新型涉及半导体加工治具技术领域，具体为酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具，包括工作台，工作台的表面开设有放置槽，放置槽的内部放置有硅晶圆，工作台的表面设置有支撑架，支撑架的表面连接有升降杆，升降杆的表面设置有连接杆，连接杆的底部设置有手环，且升降杆的底面开设有转动槽，转动槽的内部设置有连接块，连接块固定在转动架的顶面上，转动架的内部设置有储液仓，且转动架的底部设置有擦拭棉，工作台的内部设置有废液仓；有益效果为：本实用新型提出的酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具借助可旋转和伸缩的转动架配合擦拭棉对硅晶圆表面损伤擦拭修复，操作简单便捷，且修复效率高。
基本信息
专利标题 ：
酸腐蚀去除硅晶圆表面损伤的治具
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920599838.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-29
授权号 ：
CN209571393U
授权日 ：
2019-11-01
发明人 ：
王刚
申请人 ：
深圳市港祥辉电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区上海林中康路奥士达工业厂房1栋第三层A317,A318室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920599838.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-11-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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