一种削减光罩层数的半导体功率器件
授权
摘要
本实用新型提出一种削减光罩层数的半导体功率器件，其在半导体基板的第一导电类型外延层上表面开设第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽之间、第二沟槽相互之间的第一表面上均设置有硬掩膜层；第一沟槽内壁及其外围、第二沟槽内壁及其外围设有栅氧化层，第一沟槽内、第二沟槽内填满导电多晶硅，第一沟槽及其外围、第二沟槽及其外围、硬掩膜层上方均覆盖有绝缘介质层；第一沟槽之间及其外围、第二沟槽外围均从上至下设有第一导电类型注入层和第二导电类型注入层；第一沟槽及其外围上方的绝缘介质层上覆盖有金属层。本实用新型在保证器件的性能和可靠性的基础上，光罩层数减少至3层，有效降低制造成本。
基本信息
专利标题 ：
一种削减光罩层数的半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920643183.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-07
授权号 ：
CN209626228U
授权日 ：
2019-11-12
发明人 ：
丁磊侯宏伟
申请人 ：
张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市凤凰镇港口工业园华泰路1号凯思半导体
代理机构 ：
南京天华专利代理有限责任公司
代理人 ：
夏平
优先权 ：
CN201920643183.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2019-11-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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