具有阴影板的原子层沉积设备与系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有阴影板的原子层沉积设备与系统，所述的原子层沉积设备包括一个反应室、一个等离子体生成装置、一个沉积室、一个真空装置、至少一个第一进气装置、以及至少一个第二进气装置。所述沉积室包括一个晶圆固定台，用于固定所述半导体衬底，所述半导体衬底包括至少一个晶圆。所述等离子体生成装置包括一个顶板、一个射频电极、以及一个阴影板，其中，所述阴影板是用于防止在所述射频电极附近产生的离子直接到达所述半导体衬底的表面，具有使所述等离子体通过的至少一个通孔，所述射频电极可以是网格状射频电极或圆环状射频电极，相应地，阴影板为网格状阴影板或圆环状阴影板。
基本信息
专利标题 ：
具有阴影板的原子层沉积设备与系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920692728.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-15
授权号 ：
CN210215542U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
卫克拉玛那雅卡苏尼尔
申请人 ：
爱莱私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡共和国乌节路545号远东购物中心13楼4室
代理机构 ：
上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何葆芳
优先权 ：
CN201920692728.3
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/513
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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