一种长脉宽GaN高效率功率器件
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种长脉宽GaN高效率功率器件，包括散热片、引脚、绝缘底座和与所述绝缘底座相匹配的绝缘盒盖，所述绝缘底座安装在所述散热片上，所述绝缘底座内部安装有芯片，在所述绝缘底座四周设置有围板，且在所述围板上设置有条形槽，位于左右的两个所述围板内侧均设置有两个固定在所述绝缘底座上的异形卡柱，在所述绝缘盒盖上设置有与所述条形槽对应的条形边，并且在所述绝缘盒盖相对的两边均设置有两个方孔，本功率器件通过可拆封的方式进行封装，便于功率器件在出现故障时能快速拆开进行检查和维修，拆封结构简单，也降低了产品的成本。
基本信息
专利标题 ：
一种长脉宽GaN高效率功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920718237.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-20
授权号 ：
CN209675267U
授权日 ：
2019-11-22
发明人 ：
高苗苗
申请人 ：
深圳市冠禹半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区蛇口街道南海大道1052号海翔广场4楼406-410室12-01号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920718237.1
主分类号 ：
H01L23/10
IPC分类号 ：
H01L23/10 H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/10
按部件间，例如在容器的帽盖和基座之间或在容器的引线和器壁之间的封接的材料或配置的特点进行区分的
法律状态
2019-11-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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