超声波蚀刻装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种超声波蚀刻装置，包括机架和设于机架上的蚀刻槽，还包括传送件和设于机架上的上超声波发生器以及下超声波发生器，所述传送件架设于所述蚀刻槽内，所述上超声波发生器设于所述传送件的上方，所述下超声波发生器设于传送件的下方，所述上超声波发生器与下超声波发生器相对设置。相对设置的上超声波发生器和下超声波发生器分别位于传送件的上方和下方，可以对传送件上待蚀刻产品的正反两面同时进行加工处理，提高蚀刻液渗透和蚀刻的效率，缩短产品的蚀刻时间，从而提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
超声波蚀刻装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920758651.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-23
授权号 ：
CN209607710U
授权日 ：
2019-11-08
发明人 ：
黄国栋
申请人 ：
深圳天华机器设备有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山新区坑梓街道龙田同富裕工业园25号厂房
代理机构 ：
深圳市博锐专利事务所
代理人 ：
林栋
优先权 ：
CN201920758651.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-11-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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