一种单晶炉排气管道及单晶炉
授权
摘要
本实用新型实施例提供了一种单晶炉排气管道和单晶炉，所述排气管道的内壁至少部分设置有隔热体，所述隔热体的导热系数小于所述排气管道的导热系数。在本实用新型实施例中，通过在排气管道的内壁设置导热系数小于排气管道的导热系数的隔热体，可以减小排气管道内外壁温差，可以防止氧化硅微粉急剧冷却积聚造成堵塞，延长温度降低的时间，让氧化硅微粉缓慢冷却，使氧化硅微粉随着氩气排出，增设隔热体的手段既能避免排气管道堵塞，提升排气效率，可以保证单晶硅产品质量，并且其改造成本较低。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉排气管道及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920774843.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-27
授权号 ：
CN211522363U
授权日 ：
2020-09-18
发明人 ：
陈海云
申请人 ：
宁夏隆基硅材料有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区中卫市中宁县新堡镇团结南路
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
莎日娜
优先权 ：
CN201920774843.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-09-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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