一种金属有机化合物化学气相沉积机台
授权
摘要
本实用新型提供的一种金属有机化合物化学气相沉积机台，所述压环设置在所述底座的上表面，且位于所述基板的外侧，其中，所述压环具有冷却通道、冷却液入口和冷却液出口，所述冷却通道绕所述压环的轴线设置在所述压环内，所述冷却液入口和冷却液出口均与所述冷却通道连通，并匹配设置在所述卡孔中，本实用新型将压环设置为具有冷却通道的结构，使得其可以降低防尘环的温度，减少了TiN在防尘环上的沉积，还降低了边缘环的温度对基板边缘位置上TiN薄膜沉积的速率，从而提高了沉积在晶圆边缘位置上的TiN薄膜的均匀性，降低TiN沉积物剥离对产品良率的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种金属有机化合物化学气相沉积机台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920866055.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-10
授权号 ：
CN210657128U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
孙明亮吴明林宗贤郭松辉赵培培
申请人 ：
德淮半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201920866055.9
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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