一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器

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摘要

本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构及其制备方法，包括底部同质结分布布拉格反射镜（DBR）和顶部同质结DBR以及电流注入孔径的制作方法，从而实现GaN基VCSEL电注入激光光源。本实用新型提出一种水平空气柱电流注入孔径结构，包含下电流注入层和上电流注入层，利用电化学刻蚀工艺制备出电流注入孔径。本实用新型无需二次外延生长顶部DBR结构，只需一次外延生长即可完成GaN VCSEL完整外延结构，从而能够保证获得高质量的外延材料。本实用新型提出的一种水平空气柱电流注入结构能有效地限制侧向电流的扩散，降低器件的阈值电流密度，解决GaN基VCSEL电流注入孔径的制作难题。

基本信息

专利标题：

一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920888251.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-13

授权号：

CN210040877U

授权日：

2020-02-07

发明人：

李林曾丽娜李再金赵志斌乔忠良曲轶彭鸿雁

申请人：

海南师范大学

申请人地址：

海南省海口市琼山区龙昆南路99号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201920888251.6

主分类号：

H01S5/187

IPC分类号：

H01S5/187 H01S5/183