单晶炉底部断热材
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种单晶炉底部断热材,属于单晶硅生产设备技术领域。包括断热材本体及设置于所述断热材本体上的若干防护套,所述防护套可拆卸安装于所述断热材本体上。本实用新型技术方案改变传统单晶炉底部断热材的一体式设计,通过将所述防护套可拆卸连接于所述断热材本体上,一方面,在将所述单晶炉底部断热材安装于单晶炉底座上时,安装准确快捷,操作友好。另一方面,在进行清扫时,减少清扫过程中对所述防护套的碰撞,减少所述防护套的损坏率,延长设备的使用寿命。再一方面,当所述防护套被损坏后,可仅仅对所述防护套进行更换,从而极大的降低了生产成本。
基本信息
专利标题 :
单晶炉底部断热材
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920917342.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-18
授权号 :
CN210177002U
授权日 :
2020-03-24
发明人 :
李小红李磊王忠保闫龙赵延祥小暮康弘王黎光徐庆晧
申请人 :
宁夏银和半导体科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
孙彦虎
优先权 :
CN201920917342.8
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2021-03-26 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 15/14
变更事项 : 专利权人
变更前 : 宁夏银和半导体科技有限公司
变更后 : 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
变更后 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 宁夏银和半导体科技有限公司
变更后 : 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
变更后 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
2020-03-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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